SI4176DY-T1-GE3
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
SI4176DY-T1-GE3 datasheet
-
МаркировкаSI4176DY-T1-GE3
-
ПроизводительSiliconix
-
ОписаниеSiliconix SI4176DY-T1-GE3 RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V Continuous Drain Current: 12 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.016 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SO-8 Forward Transconductance gFS (Max / Min): 23 S Gate Charge Qg: 9.6 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 5 W Part # Aliases: SI4176DY-GE3
-
Количество страниц10 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
27.05.2024
26.05.2024
25.05.2024