SI2331DS-T1-GE3 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  SI2331DS-T1-GE3
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Siliconix SI2331DS-T1-GE3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 8 V Continuous Drain Current: 3.2 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.048 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TO-236-3 Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 710 mW Factory Pack Quantity: 3000 Typical Turn-Off Delay Time: 65 ns Part # Aliases: SI2331DS-GE3
• Количество страниц
  9 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SI2331DS-T1-GE3.pdf
Файл формата Pdf 160,89 KB