STP11NM65N
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
STP11NM65N datasheet
-
МаркировкаSTP11NM65N
-
ПроизводительSTMicroelectronics
-
ОписаниеSTMicroelectronics STP11NM65N Product Category: MOSFET Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 25 V Continuous Drain Current: 12 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.38 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220 Fall Time: 20 ns Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 125 W Rise Time: 13 ns Typical Turn-Off Delay Time: 55 ns
-
Количество страниц20 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
05.06.2024
04.06.2024
03.06.2024